FDMD86100
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FDMD86100 |
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Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-Power 5x6 |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 10A, 10V |
Leistung - max | 2.2W |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerWDFN |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2060pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
Grundproduktnummer | FDMD86 |
FDMD86100 Einzelheiten PDF [English] | FDMD86100 PDF - EN.pdf |
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
MOSFET 80V 16A POWER 5X6
MOSFET 2N-CH 40V 8POWER 5X6
MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
MOSFET 2N-CH 100V 10A 8POWER 5X6
MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET
MOSFET 2N-CH 30V 35A
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
MOSFET 2N-CH 100V
MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
MOSFET 2N-CH 30V 35A
MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
MOSFET 80V 16A POWER 5X6
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDMD86100Fairchild Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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